很多人之所以到了大學(xué)會迷茫，很大一部分原因在于評價標(biāo)準(zhǔn)從一維變成多維。
之前在高中時期從市里到學(xué)校再到班級，經(jīng)常組織考試，能夠讓你對自己的成績在全校乃至全市有一個精確的定位。
一維的評價標(biāo)準(zhǔn)加上反復(fù)的測試，讓人很容易提升自己。
而到了大學(xué)階段，評價體系變成多維的，對學(xué)生的要求不再僅僅停留在應(yīng)試能力上。高中時期老師也從來沒有教過學(xué)生到了大學(xué)可以做什么，需要做什么。
這種時候，大部分人會陷入迷茫。
像曹永羅屬于家里人一早就給他安排好了，只需要按照家里給他規(guī)劃的路線按部就班就行。
周新從信息爆炸的時代回來，對自己要做什么一清二楚。
至于王衛(wèi)和李力，進(jìn)入燕大之后發(fā)現(xiàn)卷是卷不過這群卷王的，一年只有期中考試和期末考試，壓根不知道要學(xué)到什么地步才能排名靠前。
純純開盲盒。
在大一剛?cè)雽W(xué)的時候，二人也很是認(rèn)真學(xué)習(xí)了一段時間，問題是沒有效果，成績在班上也只排在中間。
周新對這些有一定的了解，不過他不在乎。
對他來說，他打算盡快聯(lián)系上之前的導(dǎo)師，也就是胡正明教授。
經(jīng)過這一段時間的資料和信息搜集，周新明確了這個時空和他來之前的時空完全相同。
他也在網(wǎng)上搜到了胡正明的資料，如果他的推測正確，那么胡正明的郵箱也還是之前那個。
因為跟著胡正明念了四年的博士，對方大多數(shù)論文周新要么看過，要么通過其他論文引用有所了解。
這是相當(dāng)不容易的一件事，要知道胡正明有超過九百篇論文。
之所以要去找胡正明，除了看重對方在學(xué)術(shù)界的地位，更重要的還是對方在產(chǎn)業(yè)界的人脈。
“尊敬的胡正明教授：
我在通過閱讀你關(guān)于熱電子感應(yīng)MOSFET退化模型的改進(jìn)論文時，有了一些新的想法，可以用于改進(jìn)你優(yōu)化后的數(shù)學(xué)模型......”
周新的打算很簡單，還是得找胡正明，去伯克利把博士學(xué)位拿到，然后利用技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢，去硅谷創(chuàng)業(yè)。
創(chuàng)業(yè)成功后再回華國。
現(xiàn)在這個身份想在華國創(chuàng)業(yè)，難度太高。
或者說想搞半導(dǎo)體的難度太高。
稍作準(zhǔn)備后，周新便給胡正明的電子郵件地址發(fā)了一封關(guān)于MOSFET模型進(jìn)一步優(yōu)化的論文過去。
胡正明從1976年開始就在伯克利任教，一直郵箱就沒有變過。
從實(shí)際MOSFET晶體管出發(fā)，在復(fù)雜物理領(lǐng)域推演出數(shù)學(xué)模型，這是胡正明的得意之作。
這篇發(fā)表自1985年的論文，被引用次數(shù)接近2000次，是他僅次于FinFETch架構(gòu)的成果。
在這個年代該數(shù)學(xué)模型被國際上38家大公司參與的晶體管模型理事會選為設(shè)計芯片的第一個且唯一的國際標(biāo)準(zhǔn)。
從1985年發(fā)表該論文以來，一直有各種研究試圖改進(jìn)該模型。
94年的時候有試圖通過薄氮化氧化物來優(yōu)化該模型的，95年有通過電子的熱再發(fā)射來優(yōu)化。
但是這些研究都是通過物質(zhì)層面，通過改變晶體管材料，來實(shí)現(xiàn)優(yōu)化MOSFET晶體管的目的。
遲遲沒有從數(shù)學(xué)模型層面出發(fā)，很好優(yōu)化胡正明的MOSFET模型的結(jié)果。
要知道此時離1985年過去了十三年。
遠(yuǎn)在舊金山灣區(qū)的胡正明教授，每天早上和往常一樣，先查閱一遍自己的郵箱。
電子郵箱已經(jīng)有十來年的歷史，這十來年里，受益于電子郵箱，來自世界各地的科學(xué)家們交流變得更加頻繁。
對于胡正明來說，每天到辦公室的第一件事，也從查收紙質(zhì)郵件，變成了查收電子郵件。
一封名為MOSFET模型優(yōu)化的郵件，很快吸引了他的注意。
畢竟作為該模型的創(chuàng)造者，胡正明本人也希望能夠進(jìn)一步優(yōu)化它。
可惜不管是他本人，還是其他科學(xué)家，都沒有誰能夠從數(shù)學(xué)模型的角度，對MOSFET進(jìn)行優(yōu)化。
“......這種臨界能量和觀察到的時間依賴性可以用涉及= Sis H鍵斷裂的物理模型來解釋。器件壽命與 I-2sub 9 I1d9ΔV15t成正比。如果由于 L小或 Vd大等原因?qū)е?Isub變大，則τ會變小。因此，Isub（可能還有光發(fā)射）是τ的有力預(yù)測因子。
已發(fā)現(xiàn)比例常數(shù)因不同技術(shù)而異，相差 100倍，這為未來通過電介質(zhì)/界面技術(shù)的改進(jìn)提供了顯著提高可靠性的希望。一個簡單的物理模型可以將溝道場 Em與所有器件參數(shù)和偏置電壓相關(guān)聯(lián)。描述了它在解釋和指導(dǎo)熱電子縮放中的用途?！?/p>
因為胡正明構(gòu)建的數(shù)學(xué)模型很簡單，簡單的描繪了MOSFET退化的本質(zhì)。
越是簡單的模型，越難進(jìn)行優(yōu)化。
但是這封郵件，為胡正明提供了一個新的角度來對這個問題進(jìn)行思考。
優(yōu)化后的數(shù)學(xué)模型，能夠解釋更多的現(xiàn)象，從而對熱電子縮放的現(xiàn)象進(jìn)行更好的監(jiān)控。
為了看這封郵件，胡正明完全忘了還有咖啡這回事。
他看完核心部分后，再回過頭去看了眼是誰發(fā)給他的郵件，zhouxin@pku.com，來自燕大的郵件。
“周新？我沒聽過燕大半導(dǎo)體領(lǐng)域有這么一號人物啊？而且按理來說不應(yīng)該發(fā)論文嗎？”胡正明內(nèi)心很是納悶。
能夠做出這種級別創(chuàng)新的一般來說，不會是什么無名之輩。
胡正明又看了下郵件的最后部分，郵件最后部分表達(dá)了希望來他手下讀博。
胡正明這下才懂，對方為什么給他發(fā)這封郵件。
原來是通過這種方式來吸引他的注意力。
之前他也收到過華國學(xué)生寄來類似的郵件，通過表達(dá)自己對科研的看法，以及讀一些論文之后的想法，試圖從他這里獲得一封推薦信。
放在二十年后，這叫套磁。
只是這些華國學(xué)生的跨國郵件充其量只是一個想法。
而周新發(fā)過來的，補(bǔ)充一點(diǎn)總述，就稱得上一篇完整的論文，而是是可以發(fā)頂刊的論文。
胡正明打算回一封郵件給對方，打一通電話，詳細(xì)聊聊。
如此高質(zhì)量的論文，出自一名大學(xué)生之手還是很罕見的。
胡正明希望通過直接通話，對對方的水平進(jìn)行進(jìn)一步的確認(rèn)。